一种MEMS压力传感器
基本信息
| 申请号 | CN201922339438.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211013319U | 公开（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申请公布号 | CN211013319U | 申请公布日 | 2020-07-14 |
| 分类号 | G01L1/20(2006.01)I;G01L9/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘同庆 | 申请（专利权）人 | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 | 代理人 | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 地址 | 214072江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号国家集成电路设计中心A10栋辅3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种MEMS压力传感器，该传感器包括衬底；衬底上部凹设有真空腔；衬底对应于真空腔的上部淀积有压力敏感膜，压力敏感膜上淀积有氧化层；氧化层与压力敏感膜覆盖真空腔的槽口；氧化层上设有多个经过掺杂处理的压敏电阻和与压敏电阻连接的重掺杂硅导线，多个压敏电阻电连接形成惠斯通电桥；压敏电阻的上部和/或下部沉积有用于隔离压敏电阻经过掺杂处理的增稳层，增稳层将压敏电阻隔离。上述MEMS压力传感器通过在压敏电阻的上部和/或下部沉积有用于隔离压敏电阻经过掺杂处理的增稳层，将压敏电阻隔离，降低外界电场对其阻值的影响，克服传感器输出漂移缺陷，进而提高传感器的灵敏度与稳定性。 |
