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MEMS热电堆传感器及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110435938.6	申请日	-
公开（公告）号	CN113108922A	公开（公告）日	2021-07-13
申请公布号	CN113108922A	申请公布日	2021-07-13
分类号	G01J5/12（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	刘同庆	申请（专利权）人	无锡芯感智半导体有限公司
代理机构	深圳市辰为知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	唐文波
地址	214000江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10幢3层裙楼北侧
法律状态	-

摘要

本发明公开一种MEMS热电堆传感器及其制造方法。MEMS热电堆传感器包括：第一衬底上设置有多个安装位，多个安装位在第一衬底上排列呈环形；多个热电堆单元对应的安装在多个安装位上；其中，热电堆单元包括：第二衬底由高阻硅构成；第一热偶层设置在第二衬底上，第一热偶层包括第一半导体和第一金属；隔离层铺设在第一热偶层上；第二热偶层设置在隔离层上，第二热偶层包括第二半导体和第二金属，第二半导体与第一金属关于隔离层对称，第二金属与第一半导体关于隔离层对称；第一金属与其对应的第二半导体连接形成热电偶，第二金属与其对应的第一半导体连接形成热电偶，相邻的热电偶串联。本发明技术方案有利于提高MEMS热电堆传感器的检测灵敏度。