温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法
基本信息
| 申请号 | CN201911001605.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110708035B | 公开（公告）日 | 2022-04-01 |
| 申请公布号 | CN110708035B | 申请公布日 | 2022-04-01 |
| 分类号 | H03H9/02（2006.01）I;H03H3/10（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 董加和;冷俊林;陆川 | 申请（专利权）人 | 中电科芯片技术（集团）有限公司 |
| 代理机构 | 重庆博凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孙根 |
| 地址 | 401332 重庆市沙坪坝区西永大道23号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，包括如下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶。本发明能够有效地阻断温度补偿层上表面上表面波的传播路径，并吸收掉温度补偿层上表面上表面波，提高TCSAW的电性能指标。 |
