一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010958940.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188445A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188445A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L33/36（2010.01）I;G03F7/42（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;徐现刚 | 申请（专利权）人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵龙群 |
| 地址 | 261061山东省潍坊市高新区金马路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，包括：（1）在砷化镓衬底上依次生长外延层、电流扩展层；（2）N面金属电极制作；（3）P面金属膜层制作；（4）管芯切割；（5）P面金属电极图形制作：将粘性膜贴附在LED晶片正面，并将粘性膜撕掉，从而剥离掉P面电极表面的切割碎屑；再将粘性膜贴附在LED晶片正面，第二次将粘性膜撕掉，从而剥离掉LED晶片正面除P面金属电极图形区域外其它金属，得到完整的P面金属电极图形；（6）去胶清洗。本发明提供制作方法简单、易操作，整个管芯的制作效率提升10％以上，不使用切割保护液，同时降低了电极剥离过程中有机溶剂和去胶液的使用，节约材料成本30％以上。 |
