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一种砷化镓基LED芯片的制作方法

基本信息

申请号	CN201911042680.2	申请日	-
公开（公告）号	CN112750921B	公开（公告）日	2022-03-11
申请公布号	CN112750921B	申请公布日	2022-03-11
分类号	H01L33/00（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	彭璐;张兆喜	申请（专利权）人	山东浪潮华光光电子股份有限公司
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	黄晓燕
地址	261061山东省潍坊市高新区金马路9号
法律状态	-

摘要

本发明实施例公开了一种砷化镓基LED芯片的制作方法，包括在外延片表面P型层制作欧姆接触层；对完成欧姆材料制备的外延片进行热退火处理；在所述欧姆接触层表面制作P电极；将所述外延片固定到热解膜上，将外延片的衬底研磨至需要厚度，对研磨面进行去离子水冲洗；对研磨后的外延片进行N面蒸镀，蒸镀温度为180‑300℃；对蒸镀完成的晶片进行N面合金，合金温度为360‑380℃，合金过程中，所述热解膜脱落；对热解膜脱落的晶片进行半切测试，得到芯粒参数；对半切测试后的晶片进行全切操作，形成独立的芯粒。本发明进行研磨步骤前对晶片增加热解膜，热解膜作为薄晶片的支撑，降低研磨工步、研磨后蒸镀、研磨后切割等工步间的裂片率。