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测试LED芯片参数的方法

基本信息

申请号 CN201910660037.X 申请日 -
公开（公告）号 CN112259644B 公开（公告）日 2022-02-08
申请公布号 CN112259644B 申请公布日 2022-02-08
分类号 H01L33/00（2010.01）I;H01L21/66（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 申请（专利权）人 山东浪潮华光光电子股份有限公司
代理机构 济南诚智商标专利事务所有限公司 代理人 黄晓燕
地址 261061山东省潍坊市高新区金马路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法，包括步骤：S1,对芯片进行半切操作，形成测试点；S2,对芯片进行参数测试，输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图；S3，全切，形成若干颗独立的管芯；S4,扩膜，使所述管芯之间产生间隙；S5，对应Mapping图，划定参数范围，并夹取划定范围内的管芯，放置到铜板上；S6,对管芯逐一进行扎测，输出单颗管芯参数测试结果；S7，将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比，若两测试结果符合差异率标准，测试通过。通过对全切后的管芯进行扎测，将芯片测试参数与管芯扎测参数对比，提高了对芯片测试参数的准确性监控，保证了产品性能参数的准确性，提升产品可靠性。