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一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的返工方法

基本信息

申请号 CN202010985698.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114203862A 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN114203862A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 徐晓强;程昌辉;吴向龙;闫宝华;王成新 申请（专利权）人 山东浪潮华光光电子股份有限公司
代理机构 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人 许德山
地址 261061山东省潍坊市高新区金马路9号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的返工方法，包括：（1）制作键合片：键合片是指键合的永久性衬底结构及临时衬底结构，永久性衬底结构包括自下而上的硅永久性衬底、第二反射镜层、金属粘附层，临时衬底结构包括自下而上的第一反射镜层、电流阻挡层、P型GaAs层、P型AlGaInP层、量子阱层、N型AlGaInP层、N型GaAs层、阻挡层、缓冲层、GaAs临时衬底，电流阻挡层内还设置有P型欧姆接触点；（2）返工处理：将永久性衬底结构及临时衬底结构分开，并去除第一反射镜层；（3）制作后续管芯；本发明有效的返工制作方法提高了倒装芯片的最终管芯良率。