一种定向分布的SnO2/A2Sn2O7复相陶瓷增强银基复合材料的制备方法
基本信息
申请号 | CN202210068276.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114574724A | 公开(公告)日 | 2022-06-03 |
申请公布号 | CN114574724A | 申请公布日 | 2022-06-03 |
分类号 | C22C1/05;C22C5/06;C22C32/00;C04B35/457;C04B35/622;H01H1/0237;H01H11/04 | 分类 | 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理; |
发明人 | 李跃;沈涛;高林辉;周馨;胡钟元;张继;黄绎;赵晨阳;吴艳芳;杨辉 | 申请(专利权)人 | 浙江大学温州研究院 |
代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人 | 周世骏 |
地址 | 325006 浙江省温州市瓯海区凤南路26号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及复相陶瓷增强银基复合材料制备技术,旨在提供一种定向分布的SnO2/A2Sn2O7复相陶瓷增强银基复合材料的制备方法。本发明利用SnO2/A2Sn2O7复相陶瓷中A2Sn2O7相与金属Ag相之间的晶体结构相似性,实现硬质相SnO2/A2Sn2O7复相陶瓷与软质相Ag之间的镶嵌式反应,达到高强度的界面冶金结合;利用分段式热压反应烧结技术制备出导电导热性能优良的SnO2/A2Sn2O7复相陶瓷增强银基复合材料,解决了传统SnO2增强银基复合材料存在的相界面结合不良、致密度低、导电导热性能差等问题。制得的产品具有相界面结合强度高、结构上呈流梭状定向分布组织等特征,能够作为起到电子或声子热能快速传输的作用的有效通道;制备工艺条件简易,易于批量合成。 |
