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Co-MOF阵列膜衍生氧化钴原型气体传感器及其大面积批量化制备方法和用途

基本信息

申请号 CN202210230916.0 申请日 -
公开（公告）号 CN114460144A 公开（公告）日 2022-05-10
申请公布号 CN114460144A 申请公布日 2022-05-10
分类号 G01N27/12（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08J7/00（2006.01）I;C08L87/00（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 朱丽萍;陈雪华 申请（专利权）人 浙江大学温州研究院
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 -
地址 310058浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种Co‑MOF阵列膜衍生氧化钴原型气体传感器及其大面积批量化制备方法和用途，采用简便快速的室温生长策略，直接在预制电极的衬底表面原位生长了形貌、膜厚和尺寸可调的钴基金属有机框架（Co‑MOF）薄膜,通过退火工艺获得Co3O4原型器件，可直接用于气敏性能测试，实现了材料/器件一体化。该传感器表现出优异的三乙胺气敏性能。本发明原料方法设备简单，绿色环保，操作简便可控，生产周期短，成本低，性能稳定，可重复性好，有利于大规模推广应用。原位成膜技术的引入克服了传统的粉体成膜方式的缺陷，为大面积、低成本、简单高效的原型器件提供了切实可行的技术路线。