一种腐蚀锗片的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110461579.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113174597A | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN113174597A | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | C23F1/24（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 顾小英;赵青松;牛晓东;狄聚青 | 申请（专利权）人 | 清远先导材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 付丽 |
| 地址 | 511517广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：A）将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；所述腐蚀液为体积比为（2～5）:1的硝酸和氢氟酸的混合液；B）待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；C）使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。本发明在腐蚀液开始冒红烟的时候缓慢加入纯水，使反应前期锗片可快速反应，并防止反应后期温度过高、反应过于激烈而导致的锗片表面发黑。本发明中的方法在保证腐蚀效率的同时，解决了现有酸腐蚀中反应速率难以控制，锗片表面易发黑的技术问题。 |
