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一种高纯镓粒的制备方法

基本信息

申请号	CN202110387746.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113102763A	公开（公告）日	2021-07-13
申请公布号	CN113102763A	申请公布日	2021-07-13
分类号	B22F9/08（2006.01）I	分类	铸造；粉末冶金;
发明人	李清宇;黄杰杰;何志达;朱刘	申请（专利权）人	清远先导材料有限公司
代理机构	北京天盾知识产权代理有限公司	代理人	李琼芳;肖小龙
地址	511500广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号
法律状态	-

摘要

本发明涉及高纯金属技术领域，公开了一种高纯镓粒的制备方法。具体包括以下步骤：（1）提供制备高纯镓粒的装置；（2）将高纯镓放入手套箱，置于加热板上，使镓熔化待用；（3）对制粒管抽真空，再充氮气或惰性气体，取下制粒管顶部盲板，然后将漏斗放置在制粒管顶部；（4）开启循环冷却系统，使液体冷却剂充满产品收集槽和制粒管；（5）在手套箱内操作将镓液倒入漏斗中，使镓液滴入冷却剂中，在沉降过程冷凝成粒；（6）制粒完成后，将产品收集槽中的镓粒和冷却剂分离，镓粒放入手套箱过渡仓中抽真空、干燥，再进入主箱体中包装，得高纯镓粒产品。采用本发明方法能够制得氧含量低于1ppm，粒径为1~10mm、大小均匀，满足半导体掺杂要求的高纯镓粒。