一种超纯、超厚、致密铝膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210016976.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114481067A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114481067A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 何向军;张少杰 | 申请（专利权）人 | 沈阳富创精密设备股份有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 110000辽宁省沈阳市浑南区飞云路18甲-1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是关于一种超纯、超厚、致密铝膜的制备方法，该方法采用磁控溅射技术加离子干预（离子镀）的方式在金属（或合金材料）表面形成厚度可以大于50μm的超厚铝膜（或铝涂层），其膜层孔隙率小于1％，膜层纯度大于99％，与待镀工件具有良好的界面结合力。本发明可用于3C等领域部件的装饰、半导体设备领域及集成电路设备等领域金属（或合金）部件的表面处理。 |
