化学气相沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN201010612665.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102534552B | 公开（公告）日 | 2014-04-30 |
| 申请公布号 | CN102534552B | 申请公布日 | 2014-04-30 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/46;C23C16/458;H01L31/20 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 汪宇澄;李一成;陶成钢;赵函一;李冠龙 | 申请（专利权）人 | 理想耀锐（浙江）能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 骆苏华 |
| 地址 | 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢411室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；设置于反应腔内的加热基座，用于加热待加工工件；传输结构，设置于所述加热基座上方用于传输待加工工件；所述加热基座在加热待加工工件时产生热辐射，所述传输结构使得投射于其上的热辐射产生透射或反射。本发明可以避免传输结构受到加热基座产生的热辐射加热升温，从而破坏反应气体在传输结构的表面反应成膜的温度条件，大幅降低传输结构的清洗以及更换频率，进而降低设备的维护成本。 |
