一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910999012.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081756A | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN111081756A | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘剑;龚大卫;郑泽人;王玉林 | 申请（专利权）人 | 扬州国扬电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 扬州国扬电子有限公司 |
| 地址 | 225101 江苏省扬州市经济技术开发区吴州东路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法，包括衬底，位于衬底左上方的阱区域，阱区域右侧为局部高掺注入区域；阱区域上方依次离子注入形成第二导电类型重掺区和第一导电类型重掺区；阱区域重掺区上方设置发射极，衬底右上方依次生长栅氧化层和栅极，衬底下方设置收集极。本发明通过区域注入方式替代普遍注入方式，确保在阱周边3um～5um的区域进行注入，栅极下方其余位置不进行注入，可以实现注入浓度的提升，从5E11～1E12atom/cm2增加到3E12～5E12atom/cm2，从而在不影响米勒(Miller)电容的前提下，降低器件导通压降。 |
