一种优化米勒电容的功率器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010766099.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111952353A | 公开（公告）日 | 2020-11-17 |
| 申请公布号 | CN111952353A | 申请公布日 | 2020-11-17 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/423;H01L23/64;H01L29/739;H01L21/335 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚大卫;刘剑;郑泽人;王玉林 | 申请（专利权）人 | 扬州国扬电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 扬州国扬电子有限公司 |
| 地址 | 225000 江苏省扬州市经济开发区吴州东路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种优化米勒电容的功率器件，包括N型衬底、位于N型衬底下方的集电极、位于N型衬底上层边缘的P型井、位于P型井中的重掺杂N型区和重掺杂P型区、位于重掺杂N型区和重掺杂P型区上方的发射极、位于N型衬底上层中间的栅氧化层和位于栅氧化层上方的栅极，所述栅氧化层中间部分厚度大于边缘部分厚度，栅氧化层下方电子电流和空穴电流流经的区域处于栅氧化层边缘部分所在区域，栅氧化层边缘部分为常规栅氧厚度，在不影响器件导通压降的情况下，减小器件的米勒电容。 |
