一种栅控型功率器件
基本信息
| 申请号 | CN201921243418.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210245507U | 公开（公告）日 | 2020-04-03 |
| 申请公布号 | CN210245507U | 申请公布日 | 2020-04-03 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘剑;郑泽人;龚大卫;王玉林 | 申请（专利权）人 | 扬州国扬电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 扬州国扬电子有限公司 |
| 地址 | 225101江苏省扬州市经济技术开发区吴州东路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种栅控型功率器件，包括多个原胞，原胞包括硅衬底，硅衬底顶部设有两个分离的栅极氧化层，每个栅极氧化层顶部均设有栅极多晶硅层，每个栅极多晶硅层顶部均设有硅化钨层，每个硅化钨层均外包裹有层间介质层，两个层间介质层之间设有发射极接触孔，发射极接触孔和两个层间介质层的上方均设有金属层，发射极接触孔下方设有P型井，P型井中还设有源极，源极分别连接栅极多晶硅层和发射极接触孔。本实用新型有效减小了芯片的面积，并且使得栅极的方块电阻能够大幅度下降。 |
