一种低电阻率高电压PPTC材料及其制备方法和应用

基本信息

申请号 CN202110688343.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113410015A 公开(公告)日 2021-09-17
申请公布号 CN113410015A 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01C7/02(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈绪煌;陶佳健 申请(专利权)人 北京复通电子科技有限责任公司
代理机构 上海世圆知识产权代理有限公司 代理人 王贺玲
地址 101100北京市通州区嘉创二路55号1幢7层101-1707
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种低电阻率高电压PPTC材料及其制备方法和应用,包括:高分子聚合物基体,分散在所述高分子聚合物基体中的导电填料和非导电填料;所述非导电填料为纳米二氧化硅与无机阻燃填料的组合物。本发明的PPTC材料加工方便,生产出的PPTC片材具有电阻率低(电阻率可以低至约0.03ohm‑cm且同时满足过电流保护元件低电阻(芯片面积为6mm条件下,电阻低于10mohm,)和高耐电压(20V/15A)的要求,具有电弧抑制能力强、高阻燃等优点。