集成器件表面原子级光滑电连接薄片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910234423.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111755338A | 公开（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申请公布号 | CN111755338A | 申请公布日 | 2020-10-09 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑泉水;黄轩宇 | 申请（专利权）人 | 深圳清力技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈超 |
| 地址 | 518118广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区兰景中路16号国富文化创意产业厂区厂房A601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种能够形成集成器件表面原子级光滑电连接薄片的制备方法，利用一层可去除的具有原子级光滑表面的材料，在其表面进行器件集成，通过反向刻蚀加工的方法，最后将该材料通过刻蚀方法去除，从而得到一个集成了金属互联的原子级光滑表面的电连接薄片结构，可通过集成不同的器件从而实现不同的功能。 |
