一种完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料及其制备方法

基本信息

申请号 CN201910775897.8 申请日 -
公开(公告)号 CN110372388A 公开(公告)日 2021-06-08
申请公布号 CN110372388A 申请公布日 2021-06-08
分类号 C04B35/565;C04B35/63;C04B35/66 分类 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
发明人 左亮珠 申请(专利权)人 北京精冶源新材料股份有限公司
代理机构 北京冠和权律师事务所 代理人 李建华
地址 100088 北京市西城区新街口外大街8号1幢615号(德胜园区)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料及其制备方法。其技术方案是:以63‑68wt%的碳化硅颗粒为骨料,以13‑17wt%的碳化硅微粉和18‑22wt%的氮化硅微粉为基质料。按上述骨料与基质料的质量比例进行机械混匀。然后外加占所述骨料与基质料质量之和8‑10wt%的硅溶胶作为结合剂,搅拌均匀,制得可完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料。制备的浇注料浇注或喷涂于高炉炉腹与炉腰部位,厚度约100‑120mm,烘干后即可。本发明制备的浇注料耐磨性能好,热导率高,挂渣容易,长效保护铜冷却壁,相比于传统工艺的镶嵌碳砖材料,本浇注料的操作简便,成本低、耐磨绝热性能优良,可作为高炉冷却壁长效保护内衬,实现高炉长寿的目标。