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IPM的封装方法以及IPM封装中的键合方法

基本信息

申请号 CN201910315116.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111834350A 公开（公告）日 2020-10-27
申请公布号 CN111834350A 申请公布日 2020-10-27
分类号 H01L25/16(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王永庭 申请（专利权）人 无锡华润安盛科技有限公司
代理机构 北京博思佳知识产权代理有限公司 代理人 无锡华润安盛科技有限公司
地址 214028江苏省无锡市新区锡梅路55号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种IPM的封装方法以及IPM封装中的键合方法，对IGBT芯片与电路板之间直径相对较粗的第一引线采用频率相对较低的超声波进行第一冷超声波键合，对驱动芯片与电路板之间的直径相对较细的第二引线采用频率相对较高的超声波进行第二冷超声波键合。好处在于：相对于金铜线热超声波键合，利用冷超声波键合无需加热，可以避免高温加热导致的承载IGBT芯片及驱动芯片的绝缘基板与基岛分离，以及避免分离过程中绝缘基板撕裂导致的绝缘性能变差，进而避免IPM耐压性差及散热不良等问题，提高IPM良率和性能。