一种半导体器件的数值模拟数据处理方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种半导体器件的数值模拟数据处理方法

基本信息

申请号	CN201510556321.4	申请日	-
公开（公告）号	CN105138781B	公开（公告）日	2018-10-12
申请公布号	CN105138781B	申请公布日	2018-10-12
分类号	G06F17/50	分类	计算；推算；计数;
发明人	崔绍春;贡顶;深忱	申请（专利权）人	苏州珂晶达电子有限公司
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	吴树山
地址	215021 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号二期C102-1
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种半导体器件的数值模拟数据处理方法，其特征在于，基本步骤包括：1、建立半导体器件数值模拟全隐式方法中的大型线性方程组，并分裂系数矩阵A＝[aij]为非负矩阵A+和负矩阵A‑；2、分裂非负矩阵A+为简单矩阵A1，对称矩阵A2，非对称矩阵A3；3、建立简单矩阵A1的稀疏子矩阵T1；4、建立对称矩阵A2及非对称A3的稀疏子矩阵T23；5、建立非负矩阵A+的稀疏子矩阵M+；6、重复步骤2‑5建立对应非负矩阵‑A‑的稀疏子矩阵M‑；7、建立预处理矩阵M的非对角子阵M′；8、建立预处理矩阵M的对角子阵M"，预处理矩阵M＝M′+M"。本发明建立大型线性方程组的预处理技术，使得其对应方程组的计算量小、精度高和仿真稳定性好，从而使半导体器件的数值模拟全隐式方法能够满足工业应用的需求。