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一种高电子迁移率晶体管及制备方法

基本信息

申请号 CN201610852160.8 申请日 -
公开（公告）号 CN106298910A 公开（公告）日 2017-01-04
申请公布号 CN106298910A 申请公布日 2017-01-04
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 蒋苓利;沈忱;于洪宇;李涛;纪冬梅 申请（专利权）人 苏州珂晶达电子有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 南方科技大学;苏州珂晶达电子有限公司
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于衬底上的半导体层，其中，半导体层包括有源区，有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区，半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，栅区的半导体层上形成有凹槽，且凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于半导体层上两端的源极和漏极；位于凹槽中的第一介质层；位于第一介质层上的浮栅；包覆浮栅和第一介质层的第二介质层；位于第二介质层上的控制栅。本发明解决了增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺控制难度高和工艺重复性差的问题，提高了半导体器件的稳定性，降低了编程电荷密度，增强了半导体器件的可靠性。