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一种高空核爆环境下的光电池

基本信息

申请号 CN202010677395.4 申请日 -
公开（公告）号 CN111916442A 公开（公告）日 2020-11-10
申请公布号 CN111916442A 申请公布日 2020-11-10
分类号 H01L27/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 纪冬梅 申请（专利权）人 苏州珂晶达电子有限公司
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 逯长明;许伟群
地址 215021江苏省苏州市工业园区北摆宴街8号恒润商务大厦3楼C-3
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及高空核爆环境的防辐射技术领域，尤其涉及一种光电池。核爆环境中的高能粒子，会使芯片的电路产生电压路轨塌陷效应，造成芯片状态错误，产生灾难性后果。为了使芯片电路具备抗辐射能力，传统上使用电容的方式补偿光电流产生的电压降，存在结构复杂、单位电荷量少以及体积大的缺点。本申请提供一种光电池，包括PN结系统和肖特基二极管；通过堆叠PN结接收X射线产生光电流，使用肖特基二极管控制电路的电流方向，补偿核爆对芯片电路造成的电压降；同时由于光电池产生的光电流随X射线剂量率增大而增大，具有自适应性，使电路更适用于核爆环境；本申请具有结构简单、光电池面积较小以及稳压效果良好的优点。