一种泛半导体制造设备用双极静电卡盘及其制作方法

基本信息

申请号 CN202111398828.3 申请日 -
公开(公告)号 CN114121766A 公开(公告)日 2022-03-01
申请公布号 CN114121766A 申请公布日 2022-03-01
分类号 H01L21/683(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张立祥;赵凯 申请(专利权)人 苏州众芯联电子材料有限公司
代理机构 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 代理人 王春丽
地址 215000江苏省苏州市吴中区甪直镇迎宾西路988号6幢101-102-201-202室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种泛半导体制造设备用双极静电卡盘及其制作方法,包括金属基体上板、金属基体下板、位于金属基体上板上表面的绝缘层一以及绝缘层二;所述绝缘层一与绝缘层二中间水平交错均匀排列有电极层一与电极层二,所述电极层一与电极层二均由若干电极线组成,且所述电极线宽度为0.5~1毫米,所述电极线之间的间距为0.2~1毫米,所述电极层一与电极层二分别与两个位于金属基体上板内的给电棒相连接,吸附晶圆时,对两个给电棒分别通以极性相反的电压,使电极层一与电极层二表面形成极性相反的静电。本发明较低的电压下能在静电卡盘表面产生足够的吸附力,减少静电卡盘使用时发生放电的概率,加快更换晶圆或玻璃基板时静电消散的速度,提高设备利用率。