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以高纯固态碳素材料为主经渗硅制备高纯碳化硅烧结体的方法及组合物

基本信息

申请号 CN200410073054.7 申请日 -
公开（公告）号 CN1587204A 公开（公告）日 2005-03-02
申请公布号 CN1587204A 申请公布日 2005-03-02
分类号 C04B35/565;C04B35/573;C04B35/622;C04B35/64 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 陈刚;刘磊磊 申请（专利权）人 西安希朗材料科技有限公司
代理机构 西安西达专利代理有限责任公司 代理人 西安希朗材料科技有限公司
地址 710075陕西省西安市高新区高新一路16号创业大厦B707室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及高纯碳化硅烧结体的制备方法。方法包括按质量比称取组合物、机械搅拌、模具中成型、烘干固化、机床加工、混合酸浸泡再用去离子水清洗，除去表面吸附杂质、高温窑炉中硅粒渗入、烧成，酸洗后，真空包装。原料包括高纯固态碳素材料、粘合剂、润滑剂、高纯硅粒。具有加工成本低，无开口气孔、耐化学腐蚀的特点，由于在烧成过程中碳化硅的生成，增加了致密度和强度，烧成后产品密度大于3.05克/厘米3，使产品中游离硅降低，采用高纯固态碳素材料降低了杂质的含量，使产品单个杂质浓度小于0.5ppm。满足0.13μm线宽以下半导体器件制造要求。广泛用于加工制造扩散管、晶舟、样板晶圆、真空高温炉密封件等产品。