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高导热性金属电路半导体制冷片及其加工方法

基本信息

申请号 CN201310732993.7 申请日 -
公开（公告）号 CN103682074A 公开（公告）日 2014-03-26
申请公布号 CN103682074A 申请公布日 2014-03-26
分类号 H01L35/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 严圣军;李权宪 申请（专利权）人 江苏天楹环保科技有限公司
代理机构 扬州市锦江专利事务所 代理人 江苏天楹环保科技有限公司
地址 226600 江苏省南通市海安县海安镇桥港路89号
法律状态 -

摘要

摘要 高导热性金属电路半导体制冷片及其加工方法，属于热电与半导体制冷和制热技术领域。通过刻蚀具有类钻碳镀膜的金属基板上的导电层，使其裸露出蚀刻图形的线路作为焊盘，将导流片焊接在焊盘上；将分别焊接有导流片的两块具有类钻碳镀膜的金属基板叠层式放置，并将焊接有导流片的具有类钻碳镀膜的金属基板面相对布置；将一个N型半导体制冷颗粒和一个P型半导体制冷颗粒组成一个电偶对，电偶对的一面焊接在所述两块具有类钻碳镀膜的金属基板的一块具有类钻碳镀膜的金属基板的导流片上，该电偶对的另一面焊接在所述两块具有类钻碳镀膜的金属基板的另一块具有类钻碳镀膜的金属基板的导流片上。本发明大大提高了产品的刚性，利于提高产品的良品率。