一种纳米锡-二硫化钼复合物负极材料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201811503312.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109560280A | 公开（公告）日 | 2019-04-02 |
| 申请公布号 | CN109560280A | 申请公布日 | 2019-04-02 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I; H01M4/38（2006.01）I; H01M4/485（2010.01）I; H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马志鸿; 耿海龙; 胡博; 王宝英; 曲翊 | 申请（专利权）人 | 包头市石墨烯材料研究院有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 包头市石墨烯材料研究院有限责任公司 |
| 地址 | 014030 内蒙古自治区包头市青山区装备园区北大科技园二号楼三层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米锡‑二硫化钼复合物负极材料及其制备方法和应用。本发明制备的材料，二硫化钼呈片层结构，锡以颗粒形式弥散的分布于二硫化钼片上，锡颗粒的粒径为8～15nm。制备方法包括：用SnCl4溶液对二硫化钼进行浸渍后，通过氢化还原的方法制备得到所述的锡‑二硫化钼复合物负极材料。本发明利用二硫化钼的层状结构，缓冲锡材料在嵌锂过程中的体积变化，抵消部分内应力；提升锡基电极的循环稳定性。本发明中所制备的锡‑二硫化钼复合物电极的循环容量保持率较商品锡粉有显著提高，且大电流放电时容量下降较小，平台效应不明显，倍率放电结束后容量损失率小。 |
