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一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热结构及加工工艺

基本信息

申请号 CN201910191204.0 申请日 -
公开（公告）号 CN109817591A 公开（公告）日 2019-05-28
申请公布号 CN109817591A 申请公布日 2019-05-28
分类号 H01L23/367（2006.01）I; H01L23/373（2006.01）I; H01L23/473（2006.01）I; H01L29/739（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 许媛; 张燕飞; 鲍婕; 宁仁霞; 陈珍海; 周斌; 张俊武 申请（专利权）人 黄山谷捷散热科技有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 245041 安徽省黄山市屯溪区西海路39号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热层，将芯片的局部热量迅速横向铺开，实现局部热点快速降温。本发明制作简单，灵活性高，可有效缓解水冷散热器散热不均匀，从而提升器件可靠性及使用寿命。