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多单元功率集成模块的低寄生叠装结构及封装工艺

基本信息

申请号 CN202111057400.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113764386A 公开（公告）日 2021-12-07
申请公布号 CN113764386A 申请公布日 2021-12-07
分类号 H01L25/065（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 鲍婕;周云艳;胡娟;张俊武;周斌 申请（专利权）人 黄山谷捷散热科技有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 245061安徽省黄山市徽州区城北工业园文峰西路10号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种多单元功率集成模块的低寄生叠装结构及封装工艺，该功率模块将三相逆变功率单元布局在模块中间位置，三相桥式整流单元和制动斩波单元分别位于两侧。直流母线端子位于模块同一侧，且高低压端子交替排列，三相逆变功率输出端子以及控制信号端子位于模块另一侧，三相桥式整流单元的交流输入端子从模块右侧引出。本发明采用叠装结构，将两层芯片与两块衬板分别叠装在引线框架上下两面，与电源和输出端子布局相配合，得到低寄生封装结构；模块下表面金属层连接底热沉，模块上表面金属层连接顶热沉，以双面散热结构解决低寄生叠装结构带来的高热流密度问题。