石墨烯基IPM模块的先进封装结构及加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910188814.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109786345A | 公开（公告）日 | 2019-05-21 |
| 申请公布号 | CN109786345A | 申请公布日 | 2019-05-21 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I; H01L23/373（2006.01）I; H01L23/498（2006.01）I; H01L25/16（2006.01）I; H01L25/18（2006.01）I; H01L21/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 鲍婕; 徐文艺; 王胜群; 许媛; 周斌; 罗仁棠 | 申请（专利权）人 | 黄山谷捷散热科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 韩凤 |
| 地址 | 245900 安徽省黄山市经济开发区梅林大道89号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种石墨烯基IPM模块的先进封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、驱动芯片、石墨烯基覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用芯片倒装的先进封装形式，替换掉芯片之间以及芯片到基板的键合引线，从而实现IPM模块的双面散热，提升模块可靠性；同时采用高导热石墨烯材料增强基板局部热点的快速散热，从而降低IPM模块的最高温度，提升模块使用寿命。 |
