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横向结构LED芯片

基本信息

申请号 CN201020266768.0 申请日 -
公开（公告）号 CN201773863U 公开（公告）日 2011-03-23
申请公布号 CN201773863U 申请公布日 2011-03-23
分类号 H01L33/38(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 彭晖;马欣荣;闫春辉 申请（专利权）人 海盐杭州湾大桥新区开发有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 亚威朗光电（中国）有限公司;浙江亚威朗科技有限公司
地址 314305 浙江省海盐县开发区银滩路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提出了一种横向结构LED芯片，包括：依次形成在生长衬底上的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层、透明电极和钝化层，以及连接电极，连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极。形成有至少一个半导体外延层平台，其底面露出N-类型限制层；钝化层覆盖透明电极以及半导体外延层平台的侧面和底面；至少两个半通槽，分别开设在半导体外延层平台底面和透明电极上覆盖的钝化层，至少一个半通槽的形状为条形；N-打线焊盘穿过半通槽与N-类型限制层连通，P-打线焊盘穿过半通槽与透明电极连通，条形电极形成在条形的半通槽中并与相应的打线焊盘相连。通过设置条形电极来扩展输入电流的流入面积，从而避免电流拥塞。