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发光二极管芯片

基本信息

申请号 CN201020275536.1 申请日 -
公开（公告）号 CN201749876U 公开（公告）日 2011-02-16
申请公布号 CN201749876U 申请公布日 2011-02-16
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 彭晖;马欣荣;闫春辉 申请（专利权）人 海盐杭州湾大桥新区开发有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 亚威朗光电（中国）有限公司;浙江亚威朗科技有限公司
地址 314305 浙江省海盐县开发区银滩路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供发光二极管芯片，包括生长衬底、半导体外延层和透明电极，其中，半导体外延层包括N-类型限制层、活化层、P-类型限制层，该发光二极管(LED)芯片还形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，底部是N-类型限制层，在透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，该LED芯片还包括：P-打线焊盘及至少一个P-条形电极；其中，P-打线焊盘形成在所述的钝化层上，使得P-打线焊盘不与透明电极直接接触；P-条形电极形成在暴露的透明电极上，P-打线焊盘与P-条形电极电连接。本实用新型能够避免电流拥塞。