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发光二极管芯片

基本信息

申请号	CN201020275529.1	申请日	-
公开（公告）号	CN201820780U	公开（公告）日	2011-05-04
申请公布号	CN201820780U	申请公布日	2011-05-04
分类号	H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	彭晖;马欣荣;闫春辉	申请（专利权）人	海盐杭州湾大桥新区开发有限公司
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	亚威朗光电（中国）有限公司;浙江亚威朗科技有限公司
地址	314305 浙江省海盐县开发区银滩路1号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供发光二极管芯片，该发光二极管芯片形成有半导体外延层半通槽，该半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，底部是N-类型限制层；透明电极上还形成有钝化层，该钝化层覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面，在钝化层覆盖半导体外延层半通槽的底面的位置上形成有至少一个N-半通槽，使得所述的N-类型限制层在所述N-半通槽中暴露；该发光二极管芯片还包括：N-打线焊盘及至少一个N-条形电极；其中，N-打线焊盘形成在所述的钝化层上，使得N-打线焊盘不与N-类型限制层直接接触；N-条形电极形成在所述N-半通槽中暴露的N-类型限制层上；N-打线焊盘与N-条形电极电连接。本实用新型能够避免电流拥塞。