一种激光卡槽制程后改善工艺
基本信息
申请号 | CN202010674758.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112038229A | 公开(公告)日 | 2020-12-04 |
申请公布号 | CN112038229A | 申请公布日 | 2020-12-04 |
分类号 | H01L21/304;B23K26/36;B23K26/402 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 陈清池 | 申请(专利权)人 | 联立(徐州)半导体有限公司 |
代理机构 | 苏州创策知识产权代理有限公司 | 代理人 | 联立(徐州)半导体有限公司 |
地址 | 221000 江苏省徐州市经济技术开发区清洁技术产业园服务中心213室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种激光卡槽制程后改善工艺,其步骤具体如下:(1).调整DOE的角度,使其与生产的IC形成一定的倾斜角度;(2).在步骤(1)的基础上对IC依次进行Grooving process制程工艺。通过改变DOE与IC之间的角度,从而赋予DOE一个微小角度设定,使晶侧仅受到一个Laser Beam的接触,达到降低热效应对晶侧的影响和保证了晶圆的生产质量的目的。 |
