一种激光卡槽制程后改善工艺

基本信息

申请号 CN202010674758.9 申请日 -
公开(公告)号 CN112038229A 公开(公告)日 2020-12-04
申请公布号 CN112038229A 申请公布日 2020-12-04
分类号 H01L21/304;B23K26/36;B23K26/402 分类 基本电气元件;
发明人 陈清池 申请(专利权)人 联立(徐州)半导体有限公司
代理机构 苏州创策知识产权代理有限公司 代理人 联立(徐州)半导体有限公司
地址 221000 江苏省徐州市经济技术开发区清洁技术产业园服务中心213室
法律状态 -

摘要

摘要 一种激光卡槽制程后改善工艺,其步骤具体如下:(1).调整DOE的角度,使其与生产的IC形成一定的倾斜角度;(2).在步骤(1)的基础上对IC依次进行Grooving process制程工艺。通过改变DOE与IC之间的角度,从而赋予DOE一个微小角度设定,使晶侧仅受到一个Laser Beam的接触,达到降低热效应对晶侧的影响和保证了晶圆的生产质量的目的。