首页/ 济南星火技术发展有限公司/ 专利详情

含有增强元胞设计的功率MOSFET器件

基本信息

申请号 CN202011060377.8 申请日 -
公开（公告）号 CN112234095A 公开（公告）日 2021-01-15
申请公布号 CN112234095A 申请公布日 2021-01-15
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 任娜 申请（专利权）人 济南星火技术发展有限公司
代理机构 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 济南星火技术发展有限公司
地址 250118山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，用以解决如何在不改变器件工艺流程和成本，以及不牺牲较多其他性能的条件下，降低栅极氧化物中的电场强度的技术问题。本申请中的功率MOSFET器件包括：具有第一导电类型的外延层；若干个具有第二导电类型的第一区域，均匀分布于外延层的上表面，且各第一区域分别与外延层形成第一PN结；若干个具有第二导电类型的中央注入结构，均匀分布于JFET区域内；JFET区域由任意两个相邻的第一区域之间的空隙构成；其中，若干个中央注入结构为圆形或者正多边形。本申请通过中央注入结构，实现了电场屏蔽，进而降低了栅极氧化物中的电场强度，提高了器件的可靠性。