带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202010312456.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111640784A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111640784A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任娜;李宛曈;刘旺;黄治成 | 申请（专利权）人 | 济南星火技术发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京天岳京成电子科技有限公司;济南星火技术发展有限公司 |
| 地址 | 100080北京市海淀区丹棱街18号1号楼19层19019号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，二极管包括：PN结，形成所述PN结的第一导电区域和第二导电区域，设置有等离子体扩散层的扩散单元，在所述扩散单元中，通过所述等离子体扩散通道连接第一区域、第二区域和第三区域，以使浪涌大电流条件下产生的等离子体通过所述通道扩散。通过设计等离子体扩散层，将多个独立的PN结连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，从而提高器件的抗浪涌电流能力，增强器件的可靠性。 |
