多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202010311920.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111640783A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111640783A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任娜;黄治成;刘旺;李宛曈 | 申请（专利权）人 | 济南星火技术发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京天岳京成电子科技有限公司;济南星火技术发展有限公司 |
| 地址 | 100080北京市海淀区丹棱街18号1号楼19层19019号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及多种元胞设计的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域排布有多个元胞；多个元胞中的第一元胞包括第一区域和第二区域，第一区域环绕第二区域设置，多个元胞中的第二元胞包括第三区域，多个元胞中的第三元胞包括第四区域，第一区域和/或第三区域与外延层间形成第一PN结，所述第二区域与外延层间形成第二PN结，第四区域与所述外延层间形成第三PN结；第三PN结的宽度大于所述第一PN结和所述第二PN结的宽度，用于使在浪涌大电流的条件下，第三PN结比第一PN结和所述第二PN结先开启。通过不同尺寸PN结的设计，可以在尽量保持或不影响肖特基二极管正常电流导通模式性能的情况下，更高效的利用器件有源区面积，使浪涌大电流均匀的分散在器件的表面，从而有效的降低因局部过热而造成的器件损坏，提高其稳定性。 |
