偏振无关型硅基马赫-曾德电光调制器及电光调制系统
基本信息
| 申请号 | CN202111065501.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113759576A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113759576A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | G02F1/025（2006.01）I;G02B6/124（2006.01）I;G02B6/14（2006.01）I;G02B6/12（2006.01）I;G02F1/01（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 黄北举;张赞允;陈弘达 | 申请（专利权）人 | 苏州微光电子融合技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 苏州三英知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱如松 |
| 地址 | 215212江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了可用于5G通信的偏振无关型硅基马赫‑曾德电光调制器，顺次包括硅衬底层、下包层、硅器件层、上包层，硅器件层包括输入区、调制区和输出区，偏振光由输入区经光波导传输至调制区调制后再由光波导传输至输出区，输入区包括一个二维光栅耦合器以及均匀且对称地连接到二维光栅耦合器的四个模斑转换器以完成光分束；调制区包括金属电极和光波导相移器，通过外加电场对光进行相位调制；输出区包括一个二维光栅耦合器以及均匀且对称地连接到二维光栅耦合器的四个模斑转换器完成光合束以及光输出，实现了光相位调制到光强度调制的转换。并且具有良好的成本优势和带宽优势。 |
