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一种高性能MEMS流量传感器及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110275554.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113049053A	公开（公告）日	2021-06-29
申请公布号	CN113049053A	申请公布日	2021-06-29
分类号	G01F1/688;G01F1/684;G01F15/02;G01F15/04;G01L9/06	分类	测量；测试;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	青岛芯笙微纳电子科技有限公司
代理机构	青岛华慧泽专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘娜
地址	266100 山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园B座402室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高性能MEMS流量传感器及其制备方法，该流量传感器包括：SOI衬底，包括底层硅、埋氧层及顶层硅；腔体，包括第一腔体和第二腔体，均沿上下向贯穿底层硅；敏感材料层，位于所述埋氧层上，由部分所述顶层硅形成，包括温度敏感元件、热电堆、加热器及压力敏感元件；绝缘介质层，覆盖所述敏感材料层，且局部刻蚀出接触孔；金属层，部分金属层通过所述接触孔连接所述敏感材料层。本发明采用具有较大塞贝克系数的P型/N型单晶硅作为热电堆材料，可有效提高器件的灵敏度；此外，本发明在常规MEMS流量传感器上集成制造了温度敏感单元和压力敏感单元，以便在不增设温度和压力传感器的前提下对流量的测量结果进行补偿，提高器件的检测精度。