一种真空隔热的MEMS流量传感器及其制作方法

基本信息

申请号 CN202110268751.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113029265A 公开(公告)日 2021-06-25
申请公布号 CN113029265A 申请公布日 2021-06-25
分类号 G01F1/68;G01F1/684;G01F1/688;G01F1/69 分类 测量;测试;
发明人 不公告发明人 申请(专利权)人 青岛芯笙微纳电子科技有限公司
代理机构 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 代理人 刘娜
地址 266100 山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园B座402室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种真空隔热的MEMS流量传感器及其制作方法,该流量传感器包括:衬底,设有真空密闭隔热腔体;第一介质层,形成于衬底的上表面;加热元件、感温元件及金属电极,形成于第一介质层的上表面,其中感温元件对称分布在加热元件的两侧,加热元件及感温元件局部位于隔热腔体的上方;第二介质层,覆盖加热元件、感温元件、金属电极及通孔,且局部刻蚀出接触孔。本发明的MEMS流量传感器利用低压力化学气相沉积法的“保形效应”形成真空密闭隔热腔体,一方面可提高隔热腔体的隔热性能,另一方面可减少被测流体与隔热腔体之间的对流热损失,从而有利于降低器件功耗,并增大上下游感温元件之间的温差,有效提高器件灵敏度。