柔性铌酸锂薄膜脑电检测芯片及装置
基本信息
| 申请号 | CN202110536669.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113261968A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113261968A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | A61B5/291;A61B5/25;A61B5/31 | 分类 | 医学或兽医学；卫生学; |
| 发明人 | 华平壤;丁宁 | 申请（专利权）人 | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 300000 天津市滨海新区经济技术开发区黄海路276号泰达中小企业园2号楼602 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供柔性铌酸锂薄膜脑电检测芯片及装置，该芯片包括：柔性铌酸锂基底，柔性铌酸锂基底上制作有光波导以及共面行波电极；柔性支撑层，用于为柔性铌酸锂基底提供支撑；柔性支撑层表面设置有电极，共面行波电极与该电极电连接。发明中，柔性铌酸锂基底以及柔性支撑层具有柔性，能够更好地和人脑表面贴合；柔性支撑层和人脑表面贴合，柔性支撑层的电极与人脑电接触，电极采集到脑电信号，传输到铌酸锂基底上的共面行波电极上，在共面行波电极间形成微弱的电场，引起柔性铌酸锂基底折射率发生变化，光从光波导传输经过折射率发生变化的调制区域，光程发生改变，在输出时的相位发生变化；由于远距离传输是使用的光传输，不易受到电磁干扰。 |
