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一种超级电容中聚吡咯纳米管和石墨烯材料的制备方法

基本信息

申请号 CN202010768948.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112038113A 公开（公告）日 2020-12-04
申请公布号 CN112038113A 申请公布日 2020-12-04
分类号 H01G11/86;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/48 分类 基本电气元件;
发明人 章欣;阎超;侯峰涛;马琦 申请（专利权）人 铱格斯曼航空科技集团股份有限公司
代理机构 北京中海智圣知识产权代理有限公司 代理人 铱格斯曼航空科技集团股份有限公司
地址 100191 北京市海淀区知春路1号学院国际大厦11层1113室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种超级电容中聚吡咯纳米管和石墨烯材料的制备方法，包括：步骤1、利用原位聚合法制备聚吡咯纳米管；步骤2、制备电极材料；步骤3、制备氧化石墨烯；步骤4、通过水热法制备应用超级电容中聚吡咯纳米管和石墨烯的复合材料。本发明提出的技术方案能够提高材料的导电能力，大大提高其比电容。实验表明聚吡咯纳米管：石墨烯为1：8的比例达到最佳，可以极大提高比电容，其比电容达到502F/g。