基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910706871.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110416348A | 公开（公告）日 | 2019-11-05 |
| 申请公布号 | CN110416348A | 申请公布日 | 2019-11-05 |
| 分类号 | H01L31/108（2006.01）I; H01L31/032（2006.01）I; H01L31/18（2006.01）I; B82Y30/00（2011.01）I; B82Y20/00（2011.01）I; B82Y15/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵凯; 魏钟鸣; 李京波; 宗易昕; 邓惠雄; 文宏玉 | 申请（专利权）人 | 杭州中科神光科技有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料。本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。 |
