二维多铁半导体材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811019235.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109166963B | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN109166963B | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01L43/10;H01L43/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏钟鸣;杨淮;李京波 | 申请（专利权）人 | 杭州中科神光科技有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。 |
