带接反保护的开路检测电路
基本信息
| 申请号 | CN202110644062.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113359063A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113359063A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | G01R31/54（2020.01）I;G01R1/36（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张超;牛智文;王雪艳 | 申请（专利权）人 | 赛卓电子科技（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 祁春倪;郭国中 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种带接反保护的开路检测压电路，包括防接反PMOS管、耗尽型NMOS管、负压产生电路；低导通电压PMOS管产生耗尽型NMOS管漏端电压VD，用来控制电路整体的通断；耗尽型NMOS管产生源端电压VS经负载调整输出电压；负压产生电路产生耗尽型NMOS管栅端电压VG控制耗尽型NMOS管的导通与截止。本发明采用低导通电压PMOS管，适用于输入电压较低的场合。采用了低导通电压PMOS管，避免了因开路检测电路模块电源反接电流过大而出现芯片烧毁。采用了耗尽型NMOS管，解决芯片在RL为5kΩ～500kΩ范围内，GND开路后VOUT输出电压值小于4.75V的问题。 |
