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集成式二极管链功率MOS防静电保护结构

基本信息

申请号	CN201510008547.0	申请日	-
公开（公告）号	CN104505390B	公开（公告）日	2019-03-15
申请公布号	CN104505390B	申请公布日	2019-03-15
分类号	H01L27/02（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	赵建明; 徐开凯; 廖智; 黄平; 赵国; 钟思翰; 徐彭飞; 胡兴微; 蒋澎湃	申请（专利权）人	四川绿然电子科技有限公司
代理机构	石家庄科诚专利事务所（普通合伙）	代理人	电子科技大学; 四川蓝彩电子科技有限公司; 四川绿然电子科技有限公司; 上海朕芯微电子科技有限公司
地址	611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端；所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，且充当ESD防护的二极管单元设于n‑外延上并且与MOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。