一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201510008299.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104538315B | 公开（公告）日 | 2017-12-01 |
| 申请公布号 | CN104538315B | 申请公布日 | 2017-12-01 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵建明;冯春阳;廖智;夏建新;黄平;徐开凯;赵国;钟思翰;徐彭飞;胡兴微;蒋澎湃 | 申请（专利权）人 | 四川绿然电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 电子科技大学;四川蓝彩电子科技有限公司;四川绿然电子科技有限公司;四川洪芯微科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。 |
