一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构
基本信息
| 申请号 | CN201510008374.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104538395B | 公开（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申请公布号 | CN104538395B | 申请公布日 | 2019-01-25 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵建明; 徐开凯; 廖智; 黄平; 赵国; 钟思翰; 徐彭飞; 胡兴微; 蒋澎湃; 陈勇; 夏建新 | 申请（专利权）人 | 四川绿然电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 电子科技大学; 四川蓝彩电子科技有限公司; 四川绿然电子科技有限公司; 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n‑外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。 |
