双轨SRAM电路及SRAM存储器

基本信息

申请号 CN202011472173.5 申请日 -
公开(公告)号 CN112489707A 公开(公告)日 2021-03-12
申请公布号 CN112489707A 申请公布日 2021-03-12
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C5/14(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 曾健忠 申请(专利权)人 深圳天狼芯半导体有限公司
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 王政
地址 518000广东省深圳市福田区梅林街道孖岭社区凯丰路10号翠林大厦8层806J
法律状态 -

摘要

摘要 一种双轨SRAM电路及SRAM存储器,通过控制电路输出第一控制信号;第一电压转换电路当接收输入电压时,根据第一控制信号将输入电压转换为第一供电电压;第二电压转换电路当接收输入电压时,根据第一控制信号将输入电压转换为标称电压;标称电压为双轨SRAM电路的额定电压;SRAM外围电路根据第一供电电压上电工作;SRAM存储阵列根据标称电压上电工作;其中,第一供电电压小于等于标称电压;故减小了双轨SRAM电路的功耗。