一种集成肖特基结构温度传感器的MOSFET器件及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种集成肖特基结构温度传感器的MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011322781.8	申请日	-
公开（公告）号	CN114530376A	公开（公告）日	2022-05-24
申请公布号	CN114530376A	申请公布日	2022-05-24
分类号	H01L21/336（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李鑫	申请（专利权）人	瑶芯微电子科技（上海）有限公司
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种集成肖特基结构温度传感器的MOSFET器件及其制备方法，方法包括：选取N型衬底层；在N型衬底层上形成N型外延层；在N型外延层的两端的内表面形成P阱注入区；在P阱注入区的内表面形成N+注入区；在P阱注入区的内表面形成P+注入区；在部分N型外延层、部分P阱注入区和部分N+注入区上形成第一栅氧化层和第二栅氧化层；在P+注入区和部分N+注入区上形成源极；在N型衬底层的下表面形成漏极；在N型外延层上形成复合金属层；在第一栅氧化层和第二栅氧化层上形成栅极。本发明所形成的肖特基结构的温度传感器可以通过测试电流的变化，实时监控MOSFET器件体内的热分布、结温等热特性，从而指导器件工作状态的变化。